Чипсет snapdragon 835. На службе виртуальной реальности

Спецификации представленного процессора выглядят действительно впечатляюще, как и список гаджетов, которые могут использовать его в качестве аппаратной основы.

В ноябре компании Qualcomm и Samsung объявили о совместной работе над процессором Snapdragon 835, основанном на 10-нм технологическом процессе. Сегодня новинка была представлена официально перед началом выставки CES 2017.

Чипсет использует архитектуру Kryo 280 и содержит восемь вычислительных ядер, четыре из которых отвечают за производительность и работают на тактовой частоте 2,45 ГГц, а четыре - на частоте 1,9 ГГц. Благодаря такому сочетанию процессор на 20% быстрее и на 25% энергоэффективнее по сравнению с предыдущим поколением. Кроме того, он стал меньше на 35%, что позволяет освободить внутри корпуса пространство для более емкого аккумулятора и других компонентов, не увеличивая толщину устройства.

Увеличилась скорость беспроводной зарядки на 20% за счет использования . Передача данных также стала быстрее, так как Snapdragon 835 поддерживает новейшие стандарты беспроводного соединения, включая и LTE X16.

За графику отвечает контроллер Adreno 540 с поддержкой OpenGL ES 3.2, OpenCL 2.0, Vulkan Graphics API и DirectX 12. Также предусматривается вспомогательный процессор Hexagon 682 и чип для обработки изображения Qualcomm Spectra 180. Аудиокодек Qualcomm Aqstic WCD9341 призван обеспечить высококачественное звучание.

Мобильные производители могут оснащать устройства 4K-дисплеями, модулями оперативной памяти LPDDR4x и внутренними накопителями UFS 2.1. Поддерживаются двойные камеры с 16-Мп сенсорами и обычные камеры с разрешением до 32 Мп с записью 4K-видео, гибридным автофокусом, технологией Qualcomm Clear Sight, оптическим зумом, ускоренным аппаратным распознаванием лиц и HDR-видеосъемкой. Реализована поддержка Google Daydream VR.

Большое внимание производитель уделил безопасности пользовательских данных на аппаратном (аутентификация по отпечатку пальца, распознаванию лица или глаз) и программном уровне (защищенные мобильные платежи, доступ к корпоративным и личным данным), разработав Qualcomm Haven Security Platform.

Примечательно, что процессор Snapdragon 835 может использоваться не только в смартфонах или планшетах, но и в персональных компьютерах, дисплеях виртуальной и дополненной реальности, IP-камерах и других устройствах. Чипсет совместим как с программной платформой Android, так и с Windows 10. Аппараты со Snapdragon 835 должны появиться в первом полугодии 2017 года, пионерами могут стать флагманы и .

Компания Qualcomm анонсировала выпуск своего нового флагманского чипсета Snapdragon 835 , перепрыгнув через долгожданный Snapdragon 830. На презентации чипмейкер удивил всех, так как заявил, что производством процессоров SD 835 для Qualcomm займется корейская компания Samsung на своей линии с применением 10 нанометрового технологического процесса FinFET. Использование 10 нм тех. процесса позволит процессору быть на несколько шагов впереди, чем существующие на сегодня решения, как по мощности, так и по минимальному уровню потребляемой энергии.

Производительность

Qualcomm Snapdragon 835 на 27% мощнее и производительнее, чем Snapdragon 821 построенный на базе 14 нм тех. процессора. Также новый чип потребляет на целых 40% меньше заряда батареи, чем его предшественник в одних и тех же задачах. Конечно, сильного буста в автономности смартфонов на базе Snapdragon 835 ждать не стоит, так как многое зависит еще и от дисплея, как самого ресурсоемкого элемента в потреблении заряда батареи телефона.

Quick Charge 4.0

Также новый SoC получит поддержку более продвинутой технологии быстрой зарядки Quick Charge 4.0. Компания сообщает, что аккумулятор средней емкости (3000 мАч) будет заряжаться до 50% за 5 минут. Всего пять минут требуется QC 4.0, чтобы обеспечить смартфону 5 часов работы, это очень полезная фишка и отличительная черта . По сравнению с Quick Charge 3.0 обновленная QC 4.0 на 20% быстрее и на 30 процентов эффективнее заряжает батареи современных смартфонов.

Одной из главных проблем быстрых зарядок является быстрый износ батареи и перегревание корпуса во время заряда. Благодаря применении технологии INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), процессор Snapdragon 835 будет отслеживать температуру и регулировать скорость зарядки. Также стоит отметить, что этот стандарт совместим не только с micro USB но и с новыми портами USB Type-C.

Характеристики Snapdragon 835

• количество ядер: 8 ядер Kryo 280 CPU
• графическая система Adreno 540 GPU
• максимальная тактовая частота — 2.45 ГГц
• минимальная тактовая частота — 1.9 ГГц
• тех. процесс 10 нм FinFET
• быстрая зарядка Quick Charge 4.0
• X16 LTE модем с поддержкой Cat.6 LTE
• новейший Bluetooth 5.0
• поддержка USB-C Power Delivery

Первые смартфоны на базе Snapdragon 835 мы увидим в 2017 году. Не исключено, что образцы появятся на выставке MWC 2017.

Дополнено: на второй странице - тестирование производительности платформы и результаты бенчмарков. Впервые статья опубликована 4 января 2017 года.

С каждым годом отличий между смартфонами становится все меньше. И дело не в лени производителей, которые копируют идеи друг у друга (хотя и в этом тоже), а во все возрастающей роли платформ. Когда-то мы говорили только о процессорах, затем - об однокристальных решениях, включающих еще и графический ускоритель. Сегодня та же Qualcomm предлагает системы, к которым, по сути, достаточно добавить корпус, аккумулятор и несколько индивидуальных штрихов в начинке - и получить готовый к продаже аппарат. Да, Qualcomm может даже предоставить модуль камеры в сборе.

В условиях фактически выигранной конкуренции - Intel (пока) ушла с рынка смартфонов, NVIDIA со своей Tegra тоже больше не встречается, осталась, по сути, только Mediatek - Qualcomm стремится не только укрепить лидерство, но и повысить свое влияние в сфере разработки гаджетов. При разработке флагманских смартфонов с максимальной производительностью игнорировать продукцию американского чипмейкера могут себе позволить только Apple, Samsung и Huawei, которые разрабатывают себе платформы самостоятельно. Причем и корейцы, и китайцы игнорируют не в полной мере, используя решения Qualcomm в отдельных моделях или их модификациях - например, флагманские Galaxy S выходят на американском рынке традиционно с топовыми Snapdragon на борту.

Да и вообще, пожалуй, нельзя говорить именно о борьбе - идет вполне плотное сотрудничество. Как и Qualcomm Snapdragon 820, новая платформа, Snapdragon 835, производится на фабриках Samsung, к тому же компании обмениваются друг с другом технологиями и патентами. Часть технологий будет применена в новых Exynos. А сам Snapdragon 835, можно не сомневаться, появится в Samsung Galaxy S8 для американского рынка.

Перейдем, впрочем, непосредственно к разговору о новой платформе. К сожалению, протестировать ее загодя, как , у нас не было возможности, поэтому ограничимся простым описанием архитектуры и ее возможностей.

Если Intel многие годы придерживался аккуратной стратегии «тик-так», применяя новые стандарты фотолитографии раз в два года, то производители мобильных платформ «наверстывают упущенное» прыжками, внедряя новые техпроцессы или раз в год, или того чаще. Впрочем, гонка скоро закончится - Snapdragon 835 производится по 10-нм технологическому процессу, а дальнейшее уменьшение размеров транзисторов будет даваться куда . Реализация, как и прежде, - .

Как бы то ни было, Snapdragon 835 — это первая мобильная платформа, сделанная с применением 10-нм техпроцесса.

Интересно, что у Qualcomm есть свой «тик-так». Напомним, что Snapdragon 800 оснащался четырьмя оригинальными ядрами Krait, разработанными самой Qualcomm. Сменивший его Snapdragon 810 получил комбинацию стандартных, лицензированных у ARM ядер Cortex-A57 и A53, а Snapdragon 820 опять достались ядра с оригинальной архитектурой Kryo. Но, как и у Intel, в этом году «тик-так» немного перекосился: в основе Snapdragon 835 опять лежат свои собственные ядра Kryo 280, но не полностью оригинальные, а сделанные на основе ARM Cortex. В этот раз ядер стало восемь: четыре с тактовой частотой до 2,45 ГГц (будут вариации) и 2 Мбайт кеша второго уровня и четыре с тактовой частотой до 1,9 ГГц и 1 Мбайт кеша.

Естественно, работает принцип распределения задач, но в этот раз Qualcomm не просто говорит о применении архитектуры ARM big.LITTLE, а сравнивает работу своей платформы с игрой симфонического оркестра. Мощности системы задействуются еще более гибко, в число отключаемых при бездействии кластеров входит не только графическая подсистема, но и сигнальный процессор Qualcomm Hexagon 690.

За графику отвечает новый модуль Adreno 540 - но его тактовую частоту пока не называют. Он обеспечивает поддержку как OpenGL-приложений, так и Vulkan, и DirectX 12. Qualcomm делает большую ставку на виртуальную/дополненную реальность, обещая полную поддержку всех актуальных решений, в том числе, , конечно же, и Google Daydream. Для лучшей работы с VR в платформу встроен специальный сенсор с шестью степенями свободы (если видите аббревиатуру 6DoF — то это он и есть).

Также графическая система поддерживает стандарт 4K Ultra HD Premium (HDR 10) с 10-битным цветом. Можно предположить, что мобильные дисплеи в ближайшем будущем тоже будут развиваться в этом направлении.

Система поддерживает Qualcomm aptX и aptX HD Bluetooth и поддерживает звук на 32 бита/384 КГц.

Один из самых любопытных моментов, связанных с Snapdragon 835, - это не просто наличие в ее составе сигнального процессора обработки изображения, получившего имя Spectra 180 и позволяющего записывать 14-битный цвет (это до недавнего времени умели только топовые фотокамеры), а предложение уже готовых камер в сборке. Либо с одной камерой (предлагается модуль Sony IMX298), либо с двумя, работающими по принципам Huawei (RGB + монохромные сенсоры, которые дают на выходе более широкий динамический диапазон) либо LG/Apple (два сенсора и оптика с разным углом обзора). Но модули производители все-таки могут выбирать и самостоятельно: Spectra 180 поддерживает работу максимум либо с 32-мегапиксельной одиночной, либо с двумя 16-мегапиксельными камерами.

В Snapdragon 835 используется новый LTE-модем X16, обеспечивающий работу с гигабитными сетями (4х4 MIMO), а также интегрированные Wi-Fi-модемы (2x2 802.11ac Wave-2 + 802.11ad Multi-gigabit Wi-Fi). Возможно переключение трафика на лету между сетями Wi-Fi и LTE. Ход за телекоммуникационными компаниями - смартфоны на базе Qualcomm Snapdragon 835, которые появятся в продаже уже весной, будут готовы к гигабитным скоростям передачи данных.

Никуда не делся и модуль безопасности Qualcomm Haven, который обеспечивает аппаратную поддержку сканера отпечатков пальцев и аутентификацию пользователя по сетчатке глаза или лицу целиком. Haven также отвечает за создание токенов, когда вы хотите оплатить что-то при помощи телефона, а также за проверку подписей приложений и безопасную загрузку системы.

Еще раньше была анонсирована система быстрой зарядки . Производитель заявляет, что скорость зарядки выросла на 20 %, а эффективность системы увеличилась на 30 %. Другая цифра: 15 минут — столько времени требуется для наполнения батареи емкостью 2750 мА·ч наполовину. Главная маркетинговая «фишка» стандарта - «5 на 5»: за 5 минут аппарат с батареей указанного объема зарядится достаточно для пяти часов работы. Очень относительная величина, конечно. Причем компания божится, что проблема перегрева в случае использования QC 4.0 исключена - инцидент с Galaxy Note7 перепугал всех не на шутку. Но самая важная новость, связанная с быстрой зарядкой, - полноценная поддержка стандарта USB Type-C, а точнее, USB Power Delivery (UDB-PD). Проблема с неподходящими для быстрой зарядки адаптерами и кабелями от сторонних производителей должна если не исчезнуть, то стать менее острой.

Первые смартфоны на Qualcomm Snapdragon 835 должны быть представлены на Mobile World Congress 2017, который пройдет в Барселоне в конце февраля-начале марта.

После обзора Samsung Galaxy S8+ был смысл детальнее изучить работу нового чипа, пусть на это и было выделено совсем немного времени и протестировать все то, что было намечено, не получилось. Тем не менее, некоторые выводы можно сделать уже сейчас.

Напомню, мы уже рассматривали нюансы работы SoC MediaTek Helio X20 , Xiaomi Surge S1 и Qualcomm Snapdragon 820 . Надо отметить, что топовая модель получается у компании Qualcomm через раз: Snapdragon S4 Pro грелся сильно и был не сильно производительным в отрыве от конкурентов; Snapdragon 800 грелся не меньше, но обладал весьма неплохой производительностью, которая позволяла забыть про микролаги интерфейса начиная с Android 4.4.

После нескольких непопулярных модификаций вышел крайне неудачный Snapdragon 810 с асимметричными ядрами, горячим нравом и высоким энергопотреблением, а вот последователь , вернувший нормальную схему работы ядер, оказался весьма удачным чипом. Вот такая «зебра» получается.

Теперь же у нас на обзоре , который снова возвращается к восьмиядерной компоновке, но совмещает два модуля с «крупнокалиберными» ядрами доработанной архитектуры Kryo 280. Впрочем, стоит взглянуть на технические характеристики и все встанет на свои места.

Технические характеристики

Помимо восьми ядер новинка получила новый GPU, более энергоэффективную память LPDDR4X и передовой техпроцесс 10 нм силами Samsung. Если присмотреться внимательнее, станет очевидно, что изменений относительно предшественника не так много, архитектура ядер сильно не изменилась, пропускная способность памяти тоже.

Остается надежда на возросшее количество ядер и передовой техпроцесс, который должен позволить задействовать все эти мощности, уложившись в TDP.

Знакомство

В обзоре Snapdragon 820 мы сетовали на невысокую скорость работы чипа в расчете на один поток, которая не сильно увеличилась даже по сравнению с крайне неудачным Snapdragon 810.

Если взять для примера тот же GeekBench 4, то можно увидеть, что новинка мало исправила это положение. В то время как чипы Apple эволюционируют довольно равномерно, прибавляя как в скорости работы с одним потоком, так и при многопоточной нагрузке,…

… в мире Android все не так просто. Да, уже сейчас многие приложения умеют работать с более чем двумя потоками, но пренебрегать скоростью работы с одним потоком вычислений неразумно, поскольку это напрямую влияет на плавность работы гаджета.

Другое дело – GPU. Тут производительность существенно повысилась, особенно в высоких разрешениях и при использовании «свежих» API. Если не учитывать троттлинг, то такую пиковую производительность применить толком и негде, и остается надеяться на скорое развитие VR/AR проектов, в которых такая мощность может быть к месту.

Qualcomm Snapdragon 835 — новый процессор, который был представлен на выставке CES 2017. Чипсет построен на новом 10 нм техпроцессе от Samsung, на 20% более производительнее и на 35% меньше своего предшественника — Snapdragon 821 (который являлся лишь разогнанной версией 820 модели). Камень получил множество серьезных доработок и, судя по всему, задаёт новый уровень мощности современных мобильных устройств 2017 года. Обзор и характеристики Snapdragon 835 в статье далее.

Qualcomm Snapdragon 835 — обзор

Новый процессор имеет восемь ядер и построен на архитектуре Kryo 280. Чип создан для топовых моделей смартфонов, планшетов, ноутбуков, дисплеев виртуальной реальности, iP-камер и прочих современных устройств под управлением таких ОС как Android и Windows 10 (поддержка x86). Ожидается, что благодаря новинке работа с мультимедийными потоками будет более эффективной и быстрой. Это касается как видео (всесторонняя поддержка 4K), так и фото (поддержка двойных камерных модулей до 16 MP каждый или одного с матрицей разрешением до 32 MP). Кроме того, Snapdragon 835 будет работать с последней версией турбо-зарядки Quick Charge 4.0, которая на 20% быстрее предыдущей версии.

• восемь ядер: 4 ядра с частотой 2,45 ГГц и кэшем 2 МБ, 4 энергоэффективных ядра с частотой 1,9 ГГц и 1 МБ кэша. Именно 80% всей работы будет выполнять энергоэффективный кластер ядер
• прирост мощности на 20%, на 25% энергоэффективнее и на 35% меньше по габаритам по сравнению с 821 моделью
• обновленное графическое ядро Adreno 540
• дополнительный чип для обработки изображений Qualcomm Spectra 180
• полная поддержка 4K
• поддержка нового стандарта оперативной памяти LPDDR4x. Частота 1866MHz
• поддержка систем виртуальной реальности, в том числе Google Daydream
• беспроводные стандарты: Bluetooth 5.0, LTE X16, 2×2 802.11ac Wave-2 + 802.11ad Multi-gigabit Wi-Fi
• Quick Charge 4.0